光 刻 掩 膜 版

光 刻 掩 膜 版

對準法則是第一次光刻只是把掩膜版上的y軸與晶園上的平邊成90,如圖所示。接下來的掩膜版都用對準標記與上一層帶有圖形的掩膜對準。對準標記是一個特殊的圖形(見圖),分布在每個晶片圖形的邊緣。

掩膜版——高精度光刻的關鍵. 掩膜版(Photomask),又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版等,是微電子製造中光刻工藝所使用的圖形母版, 由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜圖形,並通過曝光將圖形轉印 …

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掩膜版(Photomask),又称光罩、光掩膜、光刻掩膜版等,是微电子制造中光刻工艺所使用的图形母版, 由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形,并通过曝光将图形转印到产品基板上。掩膜版是芯片制造过 程中的图形“底片”,用于转移高精密电路设计,承载了图形设计和工艺技术等知识 ...

光掩膜除了应用于芯片制造外,还广泛的应用元拔戏与像LCD,PCB等方面。常见的光掩膜的种类有四种,铬版(chrome)、干版,凸版、液体凸版。主要分两个组成部分,基板和不透光材料。基板通常是高纯度,低反射率,低热膨胀系数的石英玻璃。

如果需要制作多个掩膜版,并且其图形之间存在套刻关系,建议将各掩膜版上的图形绘制在同一版图文件的不同图层上,并设计统一大小的边框。 各层图形的位置需根据套刻关系严格对应,并设置相应的套刻标记,以方便制版之后的光刻操作。

在 光掩膜版的制作中,应用的光学光刻胶是AZ1370或Kodak820,或用电子束光 刻胶PMMA和COP(14章中介绍)。 较厚的膜导致线条尺寸控制和抗针孔能力 的增进;但薄光刻膜(0.2~0.3?m)的 …

E V 光 刻 采用 的掩 膜版 比普通 U 的光 学掩 膜版 缩 小 了近 4倍 , 其规 格要 求 却 比现 但 当 T B 被 刻 蚀 时 , a O 部 分 也 被 暴露 在 氯 aN TB 气 里 。因此 , 需要 研 究氯气 对 T B a O刻蚀 的热 力学 。

曝光(exposure): ① 掩膜对准式曝光:需要掩膜版获得图形,掩膜版图形和光刻胶图形为1:1关系,接触式和接近式,光源通常为UV光源; ② 步进投影式曝光:需要掩膜版获得图形,掩膜版与光刻胶之间有投影系统,按一定比例将图形曝光在光刻胶上; ③ 激光直 ...

国内掩膜版行业主要由国外掩膜版厂商占据. 掩膜版整体向更高精度、大尺寸、全产业链方向发展。由于掩膜版行业门槛较高,国内掩膜版行业主要由国外掩膜版厂商占据,美国Photronics、日本DNP以及日本Toppan三家公司市场份额超过80%。

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